Графік роботи

  • Пн - Пт: __:__ - __:__
  • Сб: __:__ - __:__
  • Нд: __:__ - __:__

Каталог товарів

Компанія

  • Про нас
  • Гарантія
  • Договір оферти
  • Контакти
  • Карта сайту

Покупцям

  • Співпраця
  • Доставка і оплата
  • Новини
  • Сервiс
© 2009-2026 «UkrMobil». Всі права захищені
  1. Компоненти для засобів РЕБ
  2. Модулі перешкод (jammer)

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки

RF-модуль підсилення 400-500 MHz, Gan 50W, 47 dBm, SMA
RF-модуль підсилення 400-500 MHz, Gan 50W, 47 dBm, SMA
RF-модуль підсилення 400-500 MHz, Gan 50W, 47 dBm, SMA
RF-модуль підсилення 400-500 MHz, Gan 50W, 47 dBm, SMA

RF-модуль підсилення 400-500 MHz, Gan 50W, 47 dBm, SMA

Немає в наявності

Доставка

Ваше місто

Нова Пошта

Нова Пошта

Самовивіз

Самовивіз

м. Рівне

м. Чернівці

Оплата

Monobank

Monobank

Готівка

Готівка

Приват Банк

Приват Банк

Післяплата

Післяплата

Рахунок для ФОП або ТОВ

Рахунок для ФОП або ТОВ

Ціна за одиницю

8 799 грн$210.00

Оптова ціна

0 грн

$0.00

Як отримати?

Опис RF-модуль підсилення 400-500 MHz, Gan 50W, 47 dBm, SMA

RF-модуль підсилення 400–500 MHz на базі GaN-технології - це високоефективний радіочастотний підсилювач для роботи з RF-сигналами у діапазоні 400–500 MHz. Пристрій забезпечує безперервну вихідну потужність до 50 W, стабільні параметри підсилення та надійну роботу в широкому температурному діапазоні.

Модуль виконаний у компактному металевому корпусі з можливістю примусового охолодження, оснащений вихідним SMA-роз’ємом та підтримує робочий діапазон напруги 24–32 V. Завдяки низьким втратам, високій термостійкості та GaN-технології підходить для професійних RF-систем, інженерних рішень і тестових стендів.


Механічне креслення:

Технічні характеристики:

  • Модель: TTSK-TZ-GAN-50W. 
  • Діапазон частот: 400–500 MHz. 
  • Вихідна потужність: 50 W
  • Діапазон частот: 400–500 MHz  (Вбудоване джерело сигналу. Смуга пропускання не перевищує 120 МГц для 500–1600 МГц; 200 МГц для 1600–6200 МГц)
  • Робоча напруга: 28 V  (24–32 В)
  • Максимальна вихідна потужність: 47 ±0.5 dBm (50 W при ≤3.1–3.7 A. У діапазоні 100–3000 МГц споживання приблизно 3.1–3.4 A. У діапазоні 3–6 ГГц споживання приблизно 3.4–3.7 A.)
  • Коливання в смузі: ≤2 dB (Пікове-до-пікового) 
  • Випробування на високі та низькі температури:
    • Робоча температура навколишнього середовища: -10 ~ +55 ℃ (підтримується запуск при низькій температурі) 
    • Стабільність підсилення: ±1.5 dB при –40 ℃ ~ +55 ℃ 
    • Стабільність потужності: ±1.5 dB при –40 ℃ ~ +55 ℃ 
  • Вимоги до живлення: ≥4 A при +28 V постійного струму (50 W вихідної потужності (безперервний сигнал) 
  • Інтерфейс живлення: Червоний для позитивного/B+, чорний для негативного/B-
  • Увімкнення підсилювача:  Білий провід: вмикається при високому рівні сигналу, вимикається при низькому рівні
  • Вихідний RF-роз’єм: SMA
  • Габарити: 112 × 38 × 19.5 mm (Без урахування роз’єму)
  • Монтажні отвори: 129.1 × 46.1 mm, M3.0 × 4
  • Маса: 185 г


Механічні характеристики

  • Тип корпусу: металевий модуль
  • Метод охолодження: радіатор, розташований знизу
  • Тип RF-роз’єму: SMA 
  • Вимоги до охолодження: примусова циркуляція повітря або тепловідвідна система
  • Метод кріплення: фіксація гвинтами


Особливості

  • Широкосмугова робота та стабільна вихідна потужність
  • GaN-технологія - високий ККД, термостійкість і стійкість до високої напруги
  • Низькі втрати та стабільна передача RF-сигналу
  • Компактний форм-фактор для професійної інтеграції


Примітки:

   -   Усі параметри виміряні при температурі навколишнього середовища +25°C, якщо не вказано інше. 

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки

Товари даної тематики

Характеристики

Діапазон частот

400-500 MHz

Потужність (Max)

50W (47 dBm)

Роз'єми

SMA

Сила струму

4 A

Робоча напруга

24-32 V

Габарити

112 × 38 × 19.5 mm

Вага (г)

185 г

Відгуки покупців

Ще немає жодного відгуку, залиште перший

​
Загальні враження:

0.0/5