RF-модуль підсилення 860-1000 MHz, Gan 50W, 47 dBm, SMA

RF-модуль підсилення 860-1000 MHz на базі GaN-технології потужністю 50 W - це високоефективний радіочастотний підсилювач для роботи з RF-сигналами у діапазоні 860-1000 MHz. Завдяки використанню галій-нітридної технології модуль поєднує високу енергоефективність, стабільні вихідні параметри та компактне виконання, що спрощує інтеграцію у професійне RF-обладнання.

Технічні характеристики:

• Діапазон частот: 860-1000 MHz
• Тип підсилювача: GaN
• Вихідна потужність: 47 dBm (50W)
• Циркулятор: Не передбачено
• Робоча напруга: 28 V постійного струму
• Коефіцієнт посилення: ≥45 дБ
• Коефіцієнт стоячої хвилі (VSWR): ≤1.5
• Пульсація пропускної здатності: ≤2 дБ
• Робоча температура: -20°C ~ +55°C
• Інтерфейси: Вхід - SMA, Вихід - SMA
• Розміри: 120 x 70 x 20 мм
• Споживання струму: ≤3.8A

Переваги:

• Широкий робочий діапазон 860–1000 MHz - придатний для різних професійних RF-застосувань.
• Вихідна потужність до 50 W - стабільна робота та достатній запас продуктивності.
• GaN-технологія - підвищений ККД, менше тепловиділення та тривалий ресурс експлуатації.
• Компактний форм-фактор - зручна інтеграція у різні RF-системи та інженерні рішення.
• Сумісність підключення - стандартні SMA-інтерфейси для швидкого з’єднання з антенами та RF-компонентами.