RF-модуль усиления 2100-2300 MHz, Gan 100W, 50 dBm Max, с циркулятором, N-J, (цифровой микроконтроллер ARM, LoRa)

RF-модуль усиления 2100–2300 MHz, GaN 100 W (до 50 dBm), с циркулятором, ARM, LoRa, N-J - -это высокомощный радиочастотный усилитель для работы с RF-3000. Благодаря GaN технологии модуль обеспечивает высокую энергоэффективность, стабильные выходные параметры и надежную работу при длительных нагрузках. Встроенный цифровой микроконтроллер ARM и поддержка LoRa позволяют реализовать точное управление и мониторинг параметров. характеристики:

• Диапазон частот: 2100–2300 MHz
• Максимальная выходная мощность: 100 W (50 dBm)
• Технология: GaN (галлий-нитрид)
• Микроконтроллер: ARM
• Поддержка LoRa: Да
• Циркулятор: Встроенный
• Разъем: N-J
• Рабочее напряжение: 28–32 V DC
• Эффективность: ≥60 %
• Рабочая температура: –10 °C ~ +55 °C

Преимущества:

• Выходная мощность до 100 W (50 dBm) - значительный запас производительности в диапазоне 2100–2300 MHz.
• GaN-технология - высокий КПД, меньшее тепловыделение и длительный ресурс эксплуатации.
• ARM-контроллер и поддержка LoRa - точное цифровое управление и возможность мониторинга.
• Встроенный циркулятор - защита от отраженной мощности и стабильная работа под нагрузкой.
• Профессиональный разъем N-J - - надежное механическое и надежное механическое RF-компонентами.